一种确定AlGaN/GaN基异质结沟道载流子寿命的方法
文献类型：专利
| 作者 | 郑英奎 ; 刘新宇; 阎理贺; 赵妙
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| 发表日期 | 2014-05-07 |
| 专利号 | CN201210238641.1 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种确定AlGaN/GaN基异质结沟道载流子寿命的方法，属于GaN基异质结构沟道量子阱中载流子驰豫物理机制技术领域。该方法根据“载流子峰值浓度—时间”平滑线散点图确定AlGaN/GaN基异质结沟道载流子的发光衰减时间，之后，在假定电子和空穴寿命相同的条件下，根据所述发光衰减时间确定AlGaN/GaN基异质结沟道载流子寿命。该方法能够对器件的物理机制进行深入的认识和对器件可靠性进行评价。 |
| 公开日期 | 2012-10-17 |
| 申请日期 | 2012-07-10 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/12942]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑英奎,刘新宇,阎理贺,等. 一种确定AlGaN/GaN基异质结沟道载流子寿命的方法. CN201210238641.1. 2014-05-07. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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