Robust SiNx/AlGaN Interface in GaN HEMTs Passivated by Thick LPCVD-Grown SiNx Layer
文献类型：期刊论文
| 作者 | Chen XJ(陈晓娟); Wang XH(王鑫华); Huang S(黄森); Zheng YK(郑英奎); Wei K(魏珂); Liu GG(刘果果); Yuan TT(袁婷婷); Luo WJ(罗卫军); Pang L(庞磊); Jiang HJ(蒋浩杰) |
| 刊名 | IEEE Electron Device Letter
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| 出版日期 | 2015-07-13 |
| 公开日期 | 2016-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/14959]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Chen XJ,Wang XH,Huang S,et al. Robust SiNx/AlGaN Interface in GaN HEMTs Passivated by Thick LPCVD-Grown SiNx Layer[J]. IEEE Electron Device Letter,2015. |
| APA | 陈晓娟.,王鑫华.,黄森.,郑英奎.,魏珂.,...&蒋浩杰.(2015).Robust SiNx/AlGaN Interface in GaN HEMTs Passivated by Thick LPCVD-Grown SiNx Layer.IEEE Electron Device Letter. |
| MLA | 陈晓娟,et al."Robust SiNx/AlGaN Interface in GaN HEMTs Passivated by Thick LPCVD-Grown SiNx Layer".IEEE Electron Device Letter (2015). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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