AlGaN/GaN high electron mobility transistor with Al2O3+BCB passivation
文献类型：期刊论文
| 作者 | Ma XH(马晓华); Zheng YK(郑英奎) ; Pang L(庞磊); Wang XH(王鑫华); Huang S(黄森); Liu GG(刘果果); Yu L(余乐); Wei K(魏珂); Zhang S(张昇); Liu XY(刘新宇)
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| 刊名 | Chinese Physics B
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| 出版日期 | 2015-11-09 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16067]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Ma XH,Zheng YK,Pang L,et al. AlGaN/GaN high electron mobility transistor with Al2O3+BCB passivation[J]. Chinese Physics B,2015. |
| APA | Ma XH.,Zheng YK.,Pang L.,Wang XH.,Huang S.,...&Li YK.(2015).AlGaN/GaN high electron mobility transistor with Al2O3+BCB passivation.Chinese Physics B. |
| MLA | Ma XH,et al."AlGaN/GaN high electron mobility transistor with Al2O3+BCB passivation".Chinese Physics B (2015). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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