一种栅极电压均匀分布的大电流IGBT版图
文献类型：专利
| 作者 | 赵佳; 吴振兴; 陆江; 田晓丽; 卢烁今; 朱阳军; 左小珍 |
| 发表日期 | 2012 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种栅极电压均匀分布的大电流IGBT版图，属于半导体技术领域，该大电流IGBT版图包括元胞区、终端区、Gatebus、源极压焊点、栅极压焊点，终端区位于元胞区的周围，源极压焊点位于元胞区上，栅极压焊点位于源极压焊点中心，源极压焊点彼此之间和源极压焊点与栅极压焊点之间均有Gatebus；其中，元胞区与终端区衔接部分有一个以上不连续的Gatebus。本发明解决了原有版图设计方案中栅极开启电压分布不均的问题，保证了整个元胞区内元胞的充分开启，电流分布均匀；同时也加快了整体元胞区元胞的开启速度，提升了器件的开启速度。 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/17711]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵佳,吴振兴,陆江,等. 一种栅极电压均匀分布的大电流IGBT版图. 2012-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。