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浏览/检索结果: 共53条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 一种平面型IGBT结构的制备方法 专利  OAI收割 专利号: CN201310085579.1, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2014-06-04 作者:  卢烁今;  赵佳;  朱阳军;  陆江;  田晓丽   |  收藏  |   一种获得IGBT器件热阻的系统和方法 专利  OAI收割 专利号: CN201210525856.1, 申请日期: 2018-10-26, 公开日期: 2014-06-18 作者:  卢烁今;  董少华;  朱阳军;  胡爱斌   |  收藏  |   一种沟槽型IGBT结构的制作方法 专利  OAI收割 专利号: CN201310085577.2, 申请日期: 2018-09-11, 公开日期: 2014-06-04 作者:  赵佳;  朱阳军;  胡爱斌;  卢烁今   |  收藏  |   一种功率器件的制备方法 专利  OAI收割 专利号: CN201310086257.9, 申请日期: 2018-09-11, 公开日期: 2014-06-04 作者:  吴振兴;  朱阳军;  田晓丽;  卢烁今   |  收藏  |   一种IGBT的缓冲层结构及其制作方法 专利  OAI收割 专利号: CN201310085624.3, 申请日期: 2018-06-19, 公开日期: 2014-06-04 作者:  喻巧群;  朱阳军;  卢烁今;  吴振兴;  田晓丽   |  收藏  |   一种中高压沟槽型功率器件的终端结构及其制作方法 专利  OAI收割 专利号: CN201310086262.X, 申请日期: 2018-04-03, 公开日期: 2014-06-04 作者:  喻巧群;  朱阳军;  卢烁今;  田晓丽   |  收藏  |   PIN超结结构 专利  OAI收割 专利号: CN201310085640.2, 申请日期: 2018-03-30, 公开日期: 2014-06-04 作者:  卢烁今;  张文亮;  朱阳军;  胡爱斌   |  收藏  |   一种绝缘栅场效应晶体管及其制作方法 专利  OAI收割 专利号: CN201210551729.9, 申请日期: 2018-03-30, 公开日期: 2014-06-18 作者:  胡爱斌;  卢烁今;  褚为利;  朱阳军   |  收藏  |   一种带FS层的PT型功率器件的制作方法 专利  OAI收割 专利号: CN201210543954.8, 申请日期: 2018-01-30, 公开日期: 2014-06-18 作者:  朱阳军;  吴振兴;  田晓丽;  卢烁今;  胡爱斌   |  收藏  |   Investigation on the Robustness During Short-Circuit Turn-off and Its Tradeoff Characteristics With Performance in IGBTs 期刊论文  OAI收割 IEEE Transactions on Electron Devices, 2017 作者:  Yang F(杨飞);  Zhu YJ(朱阳军);  Lu SJ(卢烁今);  Tan J(谭骥)   |  收藏  |