基于Recess欧姆接触结构的AlGaN/GaN HEMT器件研究
文献类型:期刊论文
作者 | 魏珂![]() ![]() ![]() |
刊名 | 半导体技术
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出版日期 | 2017-07-03 |
文献子类 | 期刊论文 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/18019] ![]() |
专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 魏珂,陈诗哲,刘新宇,等. 基于Recess欧姆接触结构的AlGaN/GaN HEMT器件研究[J]. 半导体技术,2017. |
APA | 魏珂.,陈诗哲.,刘新宇.,王泽卫.,张宗敬.,...&张一川.(2017).基于Recess欧姆接触结构的AlGaN/GaN HEMT器件研究.半导体技术. |
MLA | 魏珂,et al."基于Recess欧姆接触结构的AlGaN/GaN HEMT器件研究".半导体技术 (2017). |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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