中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
基于Recess欧姆接触结构的AlGaN/GaN HEMT器件研究

文献类型:期刊论文

作者魏珂; 陈诗哲; 刘新宇; 王泽卫; 张宗敬; 肖洋; 郑英奎; 张一川
刊名半导体技术
出版日期2017-07-03
文献子类期刊论文
语种中文
源URL[http://159.226.55.106/handle/172511/18019]  
专题微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
魏珂,陈诗哲,刘新宇,等. 基于Recess欧姆接触结构的AlGaN/GaN HEMT器件研究[J]. 半导体技术,2017.
APA 魏珂.,陈诗哲.,刘新宇.,王泽卫.,张宗敬.,...&张一川.(2017).基于Recess欧姆接触结构的AlGaN/GaN HEMT器件研究.半导体技术.
MLA 魏珂,et al."基于Recess欧姆接触结构的AlGaN/GaN HEMT器件研究".半导体技术 (2017).

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。