Improvement of the GaN/AlGaN HEMTs Performance with BCl3/Cl2/Ar-Based Inductively Coupled Plasma Etching
文献类型：会议论文
| 作者 | Wei K(魏珂); Zheng YK(郑英奎) |
| 出版日期 | 2017-07-25 |
| 文献子类 | 会议期刊 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/18244]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wei K,Zheng YK. Improvement of the GaN/AlGaN HEMTs Performance with BCl3/Cl2/Ar-Based Inductively Coupled Plasma Etching[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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