GaN基HEMT钝化前表面处理优化
文献类型：会议论文
| 作者 | 魏珂; 肖洋; 张昇; 张一川; 郑英奎 |
| 出版日期 | 2017-08-13 |
| 英文摘要 | 本文采取HCl，H3PO4，UV照射，N2等离子和氨水处理等方式，得到1：10的HCl处理，可以有效的减小界面表面态的影响，提高肖特基势垒高度，减小钝化后肖特基的漏电。 |
| 文献子类 | 会议期刊 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/18247]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 魏珂,肖洋,张昇,等. GaN基HEMT钝化前表面处理优化[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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