本发明涉及制作方法技术领域，公开了一种带FS层的PT型功率器件的制作方法包括：步骤一：制备衬底；步骤二：从衬底外延出第一N型FS层；步骤三：对第一N型FS层进行局域寿命控制；步骤四：重复步骤二和步骤三，从第一N型FS层外延出多个N型FS层，且N型FS层的掺杂浓度逐层下降，局域寿命控制注入的剂量也逐层下降，使N型FS层的缺陷浓度也逐层下降；步骤五：在N型FS层上外延出N漂移区；步骤六：制备PT型功率器件的正面结构，再对PT型功率器件的背面减薄，并与金属层形成欧姆接触。本发明经过多次外延N型FS层形成一个浓度渐变的厚FS层区域，成功避免了理想FS型功率器件的超薄片制备过程，大大降低了碎片等风险。