本发明公开了一种平面型IGBT结构的制备方法，属于半导体技术领域。该方法为：在N-型衬底上开出一窗口区域，在窗口区域通过硅的选择氧化方法淀积氧化层，在N-型衬底和窗口区域的上表面均生长栅氧层，在栅氧层上淀积多晶硅层，将窗口区域以外的多晶硅层形成栅极，通过离子注入法，在N-型衬底的上表面依次形成P-基区和N-注入区，在多晶硅层的表面依次淀积层间氧化层和金属层，形成发射极，在N-型衬底的背面，通过离子注入法依次形成N型缓冲层和p-集电极区，在N-型衬底的背面，淀积背面金属层。本发明在硅表面以下生长氧化层，通过增加电容介质的厚度，减小密勒电容，改善了传统工艺中造成材料断裂的问题。