High-Temperature-Recessed Millimeter-Wave AlGaN/GaN HEMTs With 42.8% Power-Added-Efficiency at 35 GHz
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zheng YK(郑英奎) ; Liu GG(刘果果); Chen XJ(陈晓娟); Wang XH(王鑫华); Huang S(黄森); Wei K(魏珂); Li YK(李艳奎); Zhang YC(张一川); Liu XY(刘新宇)
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| 刊名 | IEEE Electron Device Letters
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| 出版日期 | 2018-05-01 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18977]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zheng YK,Liu GG,Chen XJ,et al. High-Temperature-Recessed Millimeter-Wave AlGaN/GaN HEMTs With 42.8% Power-Added-Efficiency at 35 GHz[J]. IEEE Electron Device Letters,2018. |
| APA | Zheng YK.,Liu GG.,Chen XJ.,Wang XH.,Huang S.,...&Liu XY.(2018).High-Temperature-Recessed Millimeter-Wave AlGaN/GaN HEMTs With 42.8% Power-Added-Efficiency at 35 GHz.IEEE Electron Device Letters. |
| MLA | Zheng YK,et al."High-Temperature-Recessed Millimeter-Wave AlGaN/GaN HEMTs With 42.8% Power-Added-Efficiency at 35 GHz".IEEE Electron Device Letters (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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