一种减少VDMOS寄生电容的新结构
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郭丽莎; 夏洋 |
| 刊名 | 微电子学
 |
| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 32期号:20页码:3，200-202 |
| 关键词 | Vdmos 电容 Tcad 开关时间 |
| ISSN号 | 1004-373X |
| 其他题名 | New VDMOS Structure with Reduced Parasitic Capacitance |
| 英文摘要 | 分析影响VDMOS开关特性的各部分电容结构及参数，为了减少寄生电容，提高开关速度，在此提出一种减少VDMOS寄生电容的新型结构。该方法是部分去除传统VDMOS的neck区多晶硅条，并利用多晶硅作掩模注入P型区，改变VDMOS栅下耗尽区形状，减小寄生电容。在此增加了neck区宽度，并增加了P阱注入。利用TCAD工具模拟，结果表明：这种新型结构与传统VDMOS相比，能有效减小器件的寄生电容，减少栅电荷量，提高开关时间，提高器件的动态性能。[著者文摘] |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-06-01 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/2270]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子仪器设备研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭丽莎,夏洋. 一种减少VDMOS寄生电容的新结构[J]. 微电子学,2009,32(20):3，200-202. |
| APA | 郭丽莎,&夏洋.(2009).一种减少VDMOS寄生电容的新结构.微电子学,32(20),3，200-202. |
| MLA | 郭丽莎,et al."一种减少VDMOS寄生电容的新结构".微电子学 32.20(2009):3，200-202. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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