平滑陡直的Si深槽刻蚀方法
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张育胜 |
| 刊名 | 半导体技术
 |
| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 34期号:3页码:4，214-216,220 |
| 关键词 | 硅深槽刻蚀 电感耦合等离子体bosch工艺 化学平衡 |
| ISSN号 | 1003-353X |
| 英文摘要 | Si深槽刻蚀技术在MEMS器件加工中具有重要的作用，现有的刻蚀方法在选择比和各向异性问题上各有优缺点。常用的Bosch工艺采取了钝化与刻蚀交替进行的措施，但具有侧壁粗糙的缺点。提出了不同于Bosch工艺的新刻蚀方法，采用刻蚀反应和淀积钝化反应同时进行并保持化学平衡的方法，取得了平滑陡直的刻蚀效果。在电感耦合等离子体刻蚀机ICP-98A上的实验结果表明，在直径100mm的光刻胶掩蔽Si片上，刻蚀深度为39．2ttm，光刻胶剩余4．8btm，侧壁表面满足平滑陡直的要求。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-06-01 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/2272]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子仪器设备研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张育胜. 平滑陡直的Si深槽刻蚀方法[J]. 半导体技术,2009,34(3):4，214-216,220. |
| APA | 张育胜.(2009).平滑陡直的Si深槽刻蚀方法.半导体技术,34(3),4，214-216,220. |
| MLA | 张育胜."平滑陡直的Si深槽刻蚀方法".半导体技术 34.3(2009):4，214-216,220. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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