一种进气结构
文献类型：专利
| 作者 | 张庆钊; 席峰; 胡冬冬; 刘训春; 李勇滔; 李楠; 夏洋 |
| 发表日期 | 2011-11-04 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明涉及等离子刻蚀、淀积设备技术领域，具体涉及一种应用于等离子刻蚀、淀积设备的进气结构。所述进气结构，包括进气管、匀气筒和匀气盘，所述进气管固定设置在真空室腔室上盖中部，所述进气管末端延伸至所述反应腔内的匀气筒内，所述匀气盘设置在所述匀气筒下方。本发明的进气结构形成两个空间，保证两个空间的气流压力梯度在一定范围，有利于反应腔室内气流密度均匀一致；等离子体启辉条件下，芯片表面的反应物可及时随气流排出，确保刻蚀工艺的正常进行。 |
| 公开日期 | 2012-11-20 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/10181]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子仪器设备研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张庆钊,席峰,胡冬冬,等. 一种进气结构. 2011-11-04. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。