一种进气装置
文献类型：专利
| 作者 | 刘杰; 屈芙蓉; 胡冬冬; 刘训春; 夏洋; 李超波 |
| 发表日期 | 2011-12-02 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明涉及半导体装置技术领域，具体涉及一种应用于等离子体处理腔室的进气装置。所述进气装置，包括进气管及设置在所述进气管管壁和/或底部的孔阵列。所述进气管的管壁为圆柱形，所述进气管的底部为平板形、半球形或类球形。采用本发明的进气装置能明显提高等离子体腔室中基片表面工艺气体的均匀性，进而提高等离子体处理的均匀性。 |
| 公开日期 | 2012-11-20 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/10195]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子仪器设备研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘杰,屈芙蓉,胡冬冬,等. 一种进气装置. 2011-12-02. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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