本实用新型涉及一种薄膜封装系统，包括工艺气体输入部分、沉积腔室、ICP等离子体电源和基片台，所述工艺气体输入部分包括分别与沉积腔室连接的PECVD工艺气体输入部分和ALD工艺气体输入部分，所述基片台设置在沉积腔室内。该系统同时具有PECVD气路输入部分和ALD气路输入部分，使本实用新型兼具PECVD设备可快速沉积的优势以及ALD设备可沉积高质量薄膜的优势，实现了快速沉积较高质量的薄膜。