一种单晶立方形氮化碳薄膜的制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 饶志鹏; 万军; 夏洋; 陈波; 李超波; 石莎莉; 李勇滔; 李楠 |
| 发表日期 | 2012-01-11 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明涉及氮化碳的制备技术，具体涉及一种单晶立方形氮化碳薄膜的制备方法。所述制备方法，包括如下步骤：将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；向原子层沉积设备反应腔中通入包含碳氮元素的第一反应前驱体，碳氮原子在硅衬底表面进行化学吸附；通过氧化反应使硅衬底表面形成羟基结构；羟基结构在高温下脱水形成N-O-C结构；通入第二反应前驱体，通过还原反应还原掉O元素并形成相应的副产物，直到硅衬底表面的碳氮原子完全自发成键；重复上述步骤，即可在衬底表面形成单晶立方形氮化碳薄膜。本发明同时沉积碳氮元素，并利用氢的还原性来实现薄膜的生长，操作简单，转化率高，能耗小，且制得的单晶立方形氮化碳薄膜结构完整。 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/15542]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子仪器设备研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 饶志鹏,万军,夏洋,等. 一种单晶立方形氮化碳薄膜的制备方法. 2012-01-11. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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