用ALD设备生长氮化镓薄膜的方法
文献类型：专利
| 作者 | 饶志鹏; 万军; 夏洋; 陈波; 李超波; 石莎莉; 李勇滔; 李楠 |
| 发表日期 | 2012-01-11 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明公开用ALD设备生长氮化镓薄膜的方法，包括步骤10、将碳化硅衬通过标准液和氢氟酸处理处理表面并放置于原子层沉积设备反应腔中；步骤20、向所述原子层沉积设备反应腔中通入镓源气体，所述镓源气体作为第一反应前驱体源在碳化硅衬底表面进行化学吸附，所述镓源气体中的镓原子吸附在所述碳化硅衬底上；步骤30、吸附在碳化硅衬底上的镓原子与电离后的第二反应前驱体在氢气的辅助下发生反应，直到所述碳化硅衬底表面的镓原子完全消耗；重复步骤20、30，即可在所述碳化硅衬底表面形成氮化镓薄膜。本发明提供的方法能够实现均匀的在整个结构中掺氮，且掺杂后氮元素含量高，薄膜结构完整。 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/15543]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子仪器设备研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 饶志鹏,万军,夏洋,等. 用ALD设备生长氮化镓薄膜的方法. 2012-01-11. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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