本发明涉及等离子刻蚀、淀积设备技术领域，具体涉及一种应用于等离子刻蚀、淀积设备的进气结构中的匀气盘。所述用于进气结构的匀气盘上分布若干小孔，所述小孔从所述匀气盘的中心到边缘按照由密到疏、由疏到密或由密到疏再到密的方式分布。本发明有利于反应腔室内气流密度均匀一致，起到提高芯片表面气体的均匀性作用，使到达芯片表面的气体密度分布趋于一致。