提高聚四氟乙烯薄膜亲水性的原子层沉积方法
文献类型：专利
| 作者 | 李超波; 饶志鹏; 黄成强; 赵柯杰; 万军; 石莎莉; 吕树玲; 夏洋; 陈波 |
| 发表日期 | 2011-12-15 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 公开了一种提高聚四氟乙烯薄膜亲水性的原子层沉积方法，包括：将聚四氟乙烯薄膜放置于原子层沉积设备反应腔中；向所述原子层沉积设备反应腔中通入四氯化碳，使得所述四氯化碳中的碳原子吸附在所述聚四氟乙烯薄膜表面；向所述原子层沉积设备反应腔中通入含羟基基团的物质，所述聚四氟乙烯薄膜表面即生成高含量羟基基团的薄膜结构；逐层生长表面有高含量羟基基团的聚四氟乙烯薄膜。本发明提供的一种提高聚四氟乙烯薄膜亲水性的原子层沉积方法，使用原子层沉积设备，利用原子层可精确控制沉积薄膜厚度的优点，在PTFE薄膜表面沉积0.5-3纳米厚度的亲水性羟基基团薄膜，可以显著提高PTFE薄膜的亲水性能和时效性能，该方法操作简单，成本低，改性效果显著。 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/15557]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子仪器设备研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李超波,饶志鹏,黄成强,等. 提高聚四氟乙烯薄膜亲水性的原子层沉积方法. 2011-12-15. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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