一种半导体设备中黑色Y2O3陶瓷涂层制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 刘邦武; 邵花; 王文东; 李勇滔; 夏洋 |
| 发表日期 | 2011-12-02 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明涉及Y2O3陶瓷涂层制造技术领域，具体涉及一种半导体设备中黑色Y2O3陶瓷涂层制造方法。所述半导体设备中黑色Y2O3陶瓷涂层制造方法，包括如下步骤：步骤(1)，选择纯度大于99.95％的Y2O3粉末；步骤(2)，对待喷涂的基材表面进行预处理；步骤(3)，选择Ar和H2气体为离子气体，通过等离子体喷涂设备在所述基材表面进行等离子喷涂，并且在所述进行等离子喷涂时向等离子焰流中通入H2，制备出黑色Y2O3陶瓷涂层。本发明以Ar/H2为喷涂气体并在等离子焰流中加入H2，使熔融的Y2O3粉末与之发生还原反应，使Y2O3粉末变黑。 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/15561]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子仪器设备研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘邦武,邵花,王文东,等. 一种半导体设备中黑色Y2O3陶瓷涂层制造方法. 2011-12-02. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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