原子层沉积生长电学性质可调ZnO薄膜工艺
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张思敏; 夏洋; 程嵩 |
| 刊名 | 微纳电子技术
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| 出版日期 | 2016-09-01 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 英文摘要 | 采用热性原子层沉积和等离子体原子层技术在蓝宝石衬底上制备ZnO，不采用任何掺杂手段，通过调节生长温度、氧等离子体作用时间等参数，制备了电阻率在6个数量级（10-3~103 ？ cm）范围内变化的ZnO薄膜。采用去离子水做氧源的T-ALD制备的ZnO薄膜载流子浓度高达1019次方/cm-3量级，载流子迁移率较高，薄膜电阻率较低，适用于透明导电薄膜；采用氧等离子体作氧源PEALD制备的薄膜载流子浓度达到1017/cm-3量级，适用于薄膜晶体管。还讨论了不同生长工艺条件对薄膜晶型和表面形貌的影响。 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16178]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子仪器设备研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张思敏,夏洋,程嵩. 原子层沉积生长电学性质可调ZnO薄膜工艺[J]. 微纳电子技术,2016. |
| APA | 张思敏,夏洋,&程嵩.(2016).原子层沉积生长电学性质可调ZnO薄膜工艺.微纳电子技术. |
| MLA | 张思敏,et al."原子层沉积生长电学性质可调ZnO薄膜工艺".微纳电子技术 (2016). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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