原子层沉积制备N-Zr共掺的氧化锌薄膜
文献类型：专利
| 作者 | 李超波; 夏洋; 卢维尔; 董亚斌 |
| 发表日期 | 2012-12-11 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明公开一种原子层沉积制备N-Zr共掺的氧化锌薄膜的方法，包括将基片放入ALD反应腔室中，对基片及腔室管道进行加热，然后进行多组分的复合沉积；所述复合沉积包括在第一次锌源沉积后，分别引入一次含掺杂元素Zr的掺杂源的掺杂沉积、第二次锌源沉积、两次氮掺杂源沉积及两次氧源沉积，形成N-Zr-N的共掺；所述氮掺杂源沉积和所述氧源的沉积顺序是先氧源沉积，后氮掺杂源沉积；所述含掺杂元素Zr的掺杂源沉积与所述第二次锌源沉积顺序是先含掺杂元素Zr的掺杂源沉积，后第二次锌源沉积。该方法可以对氧化锌薄膜进行原位的施主-受主的共掺，以增加受主元素的掺入量，促进氧化锌薄膜的p型转变。 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16509]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子仪器设备研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李超波,夏洋,卢维尔,等. 原子层沉积制备N-Zr共掺的氧化锌薄膜. 2012-12-11. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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