一种单晶立方形氮化碳薄膜的制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 饶志鹏; 李勇滔; 石莎莉; 江莹冰; 刘键; 陈波; 李超波; 万军; 夏洋 |
| 发表日期 | 2012-01-11 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明涉及氮化碳的制备技术，具体涉及一种单晶立方形氮化碳薄膜的制备方法。所述制备方法，包括如下步骤：(1)将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；(2)向原子层沉积设备反应腔中通入碳源气体，碳源气体作为第一反应前驱体在硅衬底表面进行碳化学吸附，碳源气体中的碳原子吸附在硅衬底上；(3)吸附在硅衬底上的碳原子与电离后的第二反应前驱体在氢气的辅助下发生反应，产生相应的产物，直到硅衬底表面的碳原子完全消耗；(4)重复步骤(2)和(3)，即可在衬底表面形成单晶立方形氮化碳薄膜。本发明利用原子层沉积技术制备单晶立方形氮化碳薄膜，该制备方法操作简单，转化率高，能耗小，且制得的单晶立方形氮化碳薄膜结构完整。 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16527]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子仪器设备研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 饶志鹏,李勇滔,石莎莉,等. 一种单晶立方形氮化碳薄膜的制备方法. 2012-01-11. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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