一种反应等离子喷涂制备碳化硼涂层的方法
文献类型：专利
| 作者 | 王文东; 闫坤坤; 黄春; 刘邦武; 夏洋 |
| 发表日期 | 2012-01-05 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种反应等离子喷涂制备碳化硼涂层的方法，包括如下步骤：步骤(1)，选取碳化硼粉，并将碳化硼粉送入等离子体喷涂设备；步骤(2)，对被喷涂的基材表面进行预处理；步骤(3)，通过反应等离子体喷涂设备在所述基材表面进行等离子喷涂，制备出碳化硼涂层。本发明使用甲烷气(CH4)代替氢气作为辅助工作气体进行喷涂，甲烷气电离后具有还原性能保护B4C不被氧化，同时因为气体中含有C，通过其与B4C的反应，可降低甚至防止B4C在高温下的C流失，获得性能良好的B4C涂层。 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16528]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子仪器设备研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王文东,闫坤坤,黄春,等. 一种反应等离子喷涂制备碳化硼涂层的方法. 2012-01-05. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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