一种改进性能的Y2O3耐侵蚀陶瓷涂层的制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 邵花; 王文东; 夏洋; 李勇滔 |
| 发表日期 | 2011-10-26 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明涉及大气等离子喷涂技术领域，具体涉及一种改进性能的Y2O3耐侵蚀陶瓷涂层的制备方法。所述制备方法，包括如下步骤：步骤（1），选择纯度大于99.95％的Y2O3粉末；步骤（2），对被喷涂的基材表面进行预处理；步骤（3），选择Ar和H2气体为离子气体，通过等离子体喷涂设备在所述基材表面进行等离子喷涂，制备出Y2O3涂层；步骤（4），将喷涂Y2O3涂层的基材置于等离子氧处理设备中，进行等离子氧处理。使用本发明制备的Y2O3涂层为纯正白色，色泽均匀，不再出现杂色斑点，并且具有优异的耐刻蚀性能。 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16534]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子仪器设备研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邵花,王文东,夏洋,等. 一种改进性能的Y2O3耐侵蚀陶瓷涂层的制备方法. 2011-10-26. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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