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微波在半导体退火工艺中的应用

文献类型:期刊论文

作者李勇滔; 符庭钊; 景玉鹏; 康恒; 林琳; 夏洋
刊名微纳电子技术
出版日期2017-11-20
文献子类期刊论文
英文摘要针对传统快速热处理工艺(RTP) 在退火过程中引起杂质再扩散导致难以制作浅结器件的问题,采用了微波退火的方式进行退火,有效降低了热预算,能够解决杂质再扩散的问题。相比传统RTP退火,微波的退火机理具有特殊性,其不仅有微波的热效应还有微波的非热效应,使微波退火能够在较低的温度下实现杂质激活和晶格修复。实验表明,在注入能量为15keV、注入剂量为1×1015cm-2时,P31注入的样品经微波退火后其方块电阻均值小于200Ω/□,片内不均匀度小于3%,最高退火温度仅约为400 ℃,热预算远低于传统RTP退火。该实验结果表明,微波退火的方法在浅结器件的制备工艺中有较大的应用潜力。
源URL[http://159.226.55.106/handle/172511/18080]  
专题微电子研究所_微电子仪器设备研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
李勇滔,符庭钊,景玉鹏,等. 微波在半导体退火工艺中的应用[J]. 微纳电子技术,2017.
APA 李勇滔,符庭钊,景玉鹏,康恒,林琳,&夏洋.(2017).微波在半导体退火工艺中的应用.微纳电子技术.
MLA 李勇滔,et al."微波在半导体退火工艺中的应用".微纳电子技术 (2017).

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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