射频电源是微电子仪器设备的核心部件，其作用是向微电子仪器设备体腔室提供固定频率（通常为13.56MHz）的射频能量，用于激发腔室内的气体离化，从而产生等离子体。现已广泛应用到真空镀膜、等离子清洗、半导体刻蚀、射频放电、射频加热等方面，例如ALD、等离子刻蚀机、溅射台、PECVD等半导体设备。本论文采用E类功率放大器，对其E类工作状态的原理与匹配网络进行了系统的理论分析与参数推导。研制出的射频电源，主要由驱动电路、功率放大电路、阻抗匹配网络、功率检测器和单片机等组成，通过优化阻抗匹配网络参数，单个MOS管最大输出功率1500W，研制出了500W、1000W、1500W等RFG系列射频电源，末级功率转化效率达85%。等离子体起辉放电时，其阻抗变化范围很大且速度很快，本研究开发的射频电源能够承受最大反射功率500W。晶振频率信号多路同步输出，实现主从机驱动信号同步,解决了因驱动信号不同步而导致的干扰问题；同时，优化功率检测电路参数，采用单片机闭环控制，功率稳定度达到1%以内。