Mitigation of reverse short channel effect with multilayer TiN Ti TiN metal gates in gate last Pmosfets
文献类型：期刊论文
| 作者 | Xiang JJ(项金娟); Zhao LC(赵利川); Tang ZY(唐兆云); Tang B(唐波); Jia C(贾宬); Ma XL(马雪丽); Liu JB(刘金彪); Gao JF(高建峰); Li CL(李春龙); He XB(贺晓彬) |
| 刊名 | IEEE Electron device letters
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| 出版日期 | 2014-08-01 |
| 公开日期 | 2015-04-24 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/12730]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 通讯作者 | Zhao LC(赵利川) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Xiang JJ,Zhao LC,Tang ZY,et al. Mitigation of reverse short channel effect with multilayer TiN Ti TiN metal gates in gate last Pmosfets[J]. IEEE Electron device letters,2014. |
| APA | 项金娟.,赵利川.,唐兆云.,唐波.,贾宬.,...&贺晓彬.(2014).Mitigation of reverse short channel effect with multilayer TiN Ti TiN metal gates in gate last Pmosfets.IEEE Electron device letters. |
| MLA | 项金娟,et al."Mitigation of reverse short channel effect with multilayer TiN Ti TiN metal gates in gate last Pmosfets".IEEE Electron device letters (2014). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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