机构

• 微电子研究所 [41]
• 上海技术物理研究所 [2]
• 武汉物理与数学研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [44]

内容类型

• 期刊论文 [29]
• 专利 [8]
• 会议论文 [4]
• 成果 [2]
• 学位论文 [1]

发表日期

• 2018 [10]
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学科主题

• 红外系统与元部件 [2]

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浏览/检索结果: 共44条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 一种高光谱图像传感器的单片集成方法 专利  OAI收割 专利号: CN201610214392.0, 申请日期: 2018-12-25, 公开日期: 2016-07-06 作者:  崔虎山;  项金娟;  贺晓彬;  杨涛;  李俊峰   |  收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2019/03/26 Investigation of dipole origin at high k dielectric hetero-junction interface 期刊论文  OAI收割 49th IEEE Semiconductor, 2018 作者:  Ye TC(叶甜春);  Wang WW(王文武);  Zhou LX(周丽星);  Wang XL(王晓磊);  Xiang JJ(项金娟)   |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/05/20 Understanding dipole formation at dielectric/dielectric hetero-interface 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018 作者:  Wang YR(王艳蓉);  Xiang JJ(项金娟);  Yang H(杨红);  Jing Zhang;  Zhao C(赵超)   |  收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2019/05/20 一种单原子层沉积技术生长含Ni薄膜的方法 专利  OAI收割 专利号: CN201610424181.X, 申请日期: 2018-10-16, 公开日期: 2016-10-12 作者:  丁玉强;  杜立永;  张羽翔;  赵超;  项金娟   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/03/26 Identification of interfacial defects in a Ge gate stack based on ozone passivation 期刊论文  OAI收割 Semiconductor Science and Technology, 2018 作者:  Wang YR(王艳蓉);  Xiang JJ(项金娟);  Yang H(杨红);  Zhang J(张静);  Zhao C(赵超)   |  收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2019/05/20 Comprehensive investigation of the interfacial charges and dipole in GeOx/Al2O3 gate 期刊论文  OAI收割 Japanese Journal of Applied Physics, 2018 作者:  Wang YR(王艳蓉);  Xiang JJ(项金娟);  Yang H(杨红);  Zhang J(张静);  Zhao C(赵超)   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/20 一种制备钛铝合金薄膜的方法 专利  OAI收割 专利号: US9954071, 申请日期: 2018-04-24, 公开日期: 2017-04-13 作者:  丁玉强;  赵超;  项金娟   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/03/27 Band-Edge Work Function Obtained by Plasma Doping TiN Metal Gate for nMOS Device Application 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICE, 2018 作者:  Shan Tang;  Tao GL(陶桂龙);  Li JF(李俊峰);  Zhu HL(朱慧珑);  Wang XL(王晓磊)   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/20 Evolution of traps in TiN/O 3 -sourced Al 2 O 3 /GaN gate structures with thermal annealing temperature 期刊论文  OAI收割 Journal of Vacuum Science & Technology B, 2018 作者:  Xiang JJ(项金娟);  Liu XY(刘新宇);  Huang S(黄森);  Bao QL(包琦龙);  Wang XH(王鑫华)   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/04/19 半导体器件制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN201410353945.1, 申请日期: 2018-02-13, 公开日期: 2016-02-17 作者:  项金娟;  赵超   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/03/14