Transistor gate line roughness formation and reduction in sub-30-nm gate patterning using multilayer hard mask structure
文献类型：期刊论文
| 作者 | Li JF(李俊峰) ; Meng LK(孟令款); He XB(贺晓彬); Li CL(李春龙); Li JJ(李俊杰); Hong PZ(洪培真); Zhao C(赵超); Yan J(闫江)
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| 刊名 | Journal of Micro/Nanolithography, MEMS
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| 出版日期 | 2014-09-01 |
| 公开日期 | 2015-05-06 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/12764]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 通讯作者 | Meng LK(孟令款) |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Li JF,Meng LK,He XB,et al. Transistor gate line roughness formation and reduction in sub-30-nm gate patterning using multilayer hard mask structure[J]. Journal of Micro/Nanolithography, MEMS,2014. |
| APA | Li JF.,Meng LK.,He XB.,Li CL.,Li JJ.,...&Yan J.(2014).Transistor gate line roughness formation and reduction in sub-30-nm gate patterning using multilayer hard mask structure.Journal of Micro/Nanolithography, MEMS. |
| MLA | Li JF,et al."Transistor gate line roughness formation and reduction in sub-30-nm gate patterning using multilayer hard mask structure".Journal of Micro/Nanolithography, MEMS (2014). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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