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浏览/检索结果: 共30条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 形成纳米线阵列的方法 专利  OAI收割 专利号: CN201410766450.1, 申请日期: 2018-12-11, 公开日期: 2016-07-06 作者:  洪培真;  徐秋霞;  殷华湘;  李俊峰;  赵超   |  收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2019/03/26 半导体器件制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN201210497474.2, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2014-06-11 作者:  秦长亮;  王桂磊;  洪培真;  尹海洲;  殷华湘   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/03/26 半导体器件制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN201310269697.8, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2014-12-31 作者:  秦长亮;  徐强;  洪培真;  殷华湘;  尹海洲   |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/03/26 鳍式场效应晶体管及其假栅的制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN201410392773.9, 申请日期: 2018-07-10, 公开日期: 2016-02-17 作者:  洪培真;  殷华湘;  朱慧珑;  刘青;  李俊峰   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/03/21 一种自对准接触孔刻蚀工艺方法 专利  OAI收割 专利号: CN201310438771.4, 申请日期: 2018-06-26, 公开日期: 2015-03-25 作者:  李俊杰;  李春龙;  李俊峰;  王文武;  洪培真   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/03/21 半导体器件制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN201310173339.7, 申请日期: 2018-05-15, 公开日期: 2014-11-12 作者:  秦长亮;  洪培真;  尹海洲;  殷华湘;  李俊峰   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/03/21 半导体器件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN201210246436.X, 申请日期: 2018-02-13, 公开日期: 2014-01-29 作者:  秦长亮;  洪培真;  殷华湘   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/03/14 一种硅深孔刻蚀方法 专利  OAI收割 专利号: CN201410571338.2, 申请日期: 2018-02-09, 公开日期: 2016-05-18 作者:  赵超;  李俊杰;  孟令款;  李春龙;  洪培真   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/03/14 堆叠纳米线制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN201310110074.6, 申请日期: 2018-01-02, 公开日期: 2014-10-01 作者:  马小龙;  秦长亮;  殷华湘   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/03/14 半导体器件制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN201210495187.8, 申请日期: 2017-11-21, 公开日期: 2014-06-11 作者:  殷华湘;  洪培真;  秦长亮;  尹海洲;  王桂磊   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2018/04/25