Atomic Layer Deposited TiAlC Film as Metal Gate for 22 nm Node CMOS Technology and Beyond
文献类型：期刊论文
| 作者 | Xiang JJ(项金娟) ; Zhang YB(张严波); Gao JF(高建峰); Li TT(李亭亭); Yin HX(殷华湘); Li JF(李俊峰); Zhao C(赵超)
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| 刊名 | ALD 2015
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| 出版日期 | 2015-06-28 |
| 公开日期 | 2016-05-31 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/15047]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Xiang JJ,Zhang YB,Gao JF,et al. Atomic Layer Deposited TiAlC Film as Metal Gate for 22 nm Node CMOS Technology and Beyond[J]. ALD 2015,2015. |
| APA | Xiang JJ.,Zhang YB.,Gao JF.,Li TT.,Yin HX.,...&Zhao C.(2015).Atomic Layer Deposited TiAlC Film as Metal Gate for 22 nm Node CMOS Technology and Beyond.ALD 2015. |
| MLA | Xiang JJ,et al."Atomic Layer Deposited TiAlC Film as Metal Gate for 22 nm Node CMOS Technology and Beyond".ALD 2015 (2015). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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