Investigation of TaN as the wet etch stop layer for HKMG-last integration in the 22 nm and beyond nodes CMOS technology
文献类型：期刊论文
| 作者 | Cui HS(崔虎山); Luo J(罗军) ; Xu J(许静); Gao JF(高建峰); Xiang JJ(项金娟); Tang ZY(唐兆云); Wang XL(王晓磊); Lu YH(卢一泓); He XB(贺晓彬); Li TT(李亭亭)
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| 刊名 | Vacuum
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| 出版日期 | 2015-05-27 |
| 公开日期 | 2016-05-31 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/15115]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Cui HS,Luo J,Xu J,et al. Investigation of TaN as the wet etch stop layer for HKMG-last integration in the 22 nm and beyond nodes CMOS technology[J]. Vacuum,2015. |
| APA | Cui HS.,Luo J.,Xu J.,Gao JF.,Xiang JJ.,...&Ye TC.(2015).Investigation of TaN as the wet etch stop layer for HKMG-last integration in the 22 nm and beyond nodes CMOS technology.Vacuum. |
| MLA | Cui HS,et al."Investigation of TaN as the wet etch stop layer for HKMG-last integration in the 22 nm and beyond nodes CMOS technology".Vacuum (2015). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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