Investigation of thermal atomic layer deposited TiAlX (X = N or C) film as metal gate
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wang XL(王晓磊) ; Xiang JJ(项金娟); Zhang YB(张严波); Li TT(李亭亭); Gao JF(高建峰); Yin HX(殷华湘); Li JF(李俊峰); Wang WW(王文武)
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| 刊名 | Solid-State Electronics
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| 出版日期 | 2016-10-01 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16213]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang XL,Xiang JJ,Zhang YB,et al. Investigation of thermal atomic layer deposited TiAlX (X = N or C) film as metal gate[J]. Solid-State Electronics,2016. |
| APA | Wang XL.,Xiang JJ.,Zhang YB.,Li TT.,Gao JF.,...&Wang WW.(2016).Investigation of thermal atomic layer deposited TiAlX (X = N or C) film as metal gate.Solid-State Electronics. |
| MLA | Wang XL,et al."Investigation of thermal atomic layer deposited TiAlX (X = N or C) film as metal gate".Solid-State Electronics (2016). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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