用于薄膜沉积的铝前驱体及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 项金娟2 ; 王大伟1; 苗红艳1; 杨淑艳2; 许从应2; 赵超2; 丁玉强1
|
| 发表日期 | 2017-09-15 |
| 专利号 | CN201410532553.1 |
| 著作权人 | 江南大学 ; 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 一种薄膜沉积铝前驱体，其特征在于，具有如下的结构式(I)或(II)的分子结构，其中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7表示氢原子、C1～C6烷基、C2～C5链烯基、C3～C10环烷基、C6～C10芳基或—Si(R0)3、以及上述基团的卤素取代基团，其中R0为C1～C6烷基或其卤素取代基团，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7相同或相异。依照本发明，利用分子间相互作用力的原理，研发了热稳定好、不易分解的薄膜沉积前驱体，便于储存和运输，高温挥发性好，成膜性能优良。 |
| 公开日期 | 2016-04-20 |
| 申请日期 | 2014-10-10 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/17896]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 作者单位 | 1.江南大学 2.中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 项金娟,王大伟,苗红艳,等. 用于薄膜沉积的铝前驱体及其制备方法. CN201410532553.1. 2017-09-15. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。