Hot Implantations of P into Ge: Impact on the Diffusion Profile
文献类型：期刊论文
| 作者 | Xiang JJ(项金娟) ; Eddy Simoen; Luo J(罗军); Liu JB(刘金彪); Ye TC(叶甜春); Zhao C(赵超); Li JF(李俊峰); Wang GL(王桂磊)
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| 刊名 | ECS Journal of Solid State Science and Technology
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| 出版日期 | 2017-01-13 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/18086]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Xiang JJ,Eddy Simoen,Luo J,et al. Hot Implantations of P into Ge: Impact on the Diffusion Profile[J]. ECS Journal of Solid State Science and Technology,2017. |
| APA | Xiang JJ.,Eddy Simoen.,Luo J.,Liu JB.,Ye TC.,...&Wang GL.(2017).Hot Implantations of P into Ge: Impact on the Diffusion Profile.ECS Journal of Solid State Science and Technology. |
| MLA | Xiang JJ,et al."Hot Implantations of P into Ge: Impact on the Diffusion Profile".ECS Journal of Solid State Science and Technology (2017). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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