Crystallization behaviors of ultrathin Al-doped HfO2 amorphous films grown by atomic layer deposition
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wang XL(王晓磊) ; Xiang JJ(项金娟); Yang H(杨红); Ma XL(马雪丽); Zhu HL(朱慧珑); Zhao C(赵超); Yin HX(殷华湘); Zhang JQ(张建齐); Wang WW(王文武)
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| 刊名 | Chin. Phys. B
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| 出版日期 | 2017-01-10 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/18092]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang XL,Xiang JJ,Yang H,et al. Crystallization behaviors of ultrathin Al-doped HfO2 amorphous films grown by atomic layer deposition[J]. Chin. Phys. B,2017. |
| APA | Wang XL.,Xiang JJ.,Yang H.,Ma XL.,Zhu HL.,...&Wang WW.(2017).Crystallization behaviors of ultrathin Al-doped HfO2 amorphous films grown by atomic layer deposition.Chin. Phys. B. |
| MLA | Wang XL,et al."Crystallization behaviors of ultrathin Al-doped HfO2 amorphous films grown by atomic layer deposition".Chin. Phys. B (2017). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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