Study of sigma-shaped source/drain recesses for embedded-SiGe pMOSFETs
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhu HL(朱慧珑) ; Xu QX(徐秋霞); Li JF(李俊峰); Zhao C(赵超); Henry Homayoun Radamson; Yin HZ(尹海洲); Meng LK(孟令款); Lu YH(卢一泓); Cui HS(崔虎山); Ma XL(马小龙)
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| 刊名 | Microelectronic Engineering
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| 出版日期 | 2017-07-04 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/18112]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhu HL,Xu QX,Li JF,et al. Study of sigma-shaped source/drain recesses for embedded-SiGe pMOSFETs[J]. Microelectronic Engineering,2017. |
| APA | Zhu HL.,Xu QX.,Li JF.,Zhao C.,Henry Homayoun Radamson.,...&Zhong HC.(2017).Study of sigma-shaped source/drain recesses for embedded-SiGe pMOSFETs.Microelectronic Engineering. |
| MLA | Zhu HL,et al."Study of sigma-shaped source/drain recesses for embedded-SiGe pMOSFETs".Microelectronic Engineering (2017). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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