机构

• 微电子研究所 [14]

采集方式

• OAI收割 [14]

内容类型

• 期刊论文 [11]
• 专著 [3]

发表日期

• 2018 [2]
• 2017 [8]
• 2016 [4]

学科主题

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浏览/检索结果: 共14条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 CMOS：Past,present and future 专著  OAI收割 :Elsevier, 2018 作者:  Henry Homayoun Radamson;  罗军;  赵超   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/23 Complementary Metal Oxide Semiconductor 专著  OAI收割 :IntechOpen, 2018 作者:  Yin HX(殷华湘);  Wang GL(王桂磊);  Yao JX(姚佳欣);  Henry Homayoun Radamson   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/23 The Challenges of Advanced CMOS Process from 2D to 3D 期刊论文  OAI收割 Applied Sciences, 2017 作者:  Wang GL(王桂磊);  Gu SH(顾世海);  Liu JB(刘金彪);  Xiang JJ(项金娟);  Li JJ(李俊杰)   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2018/07/05 On the manifestation ofGe Pre-amorphization Implantation (PAI) in forming ultrathin TiSix for Ti direct contact on Si in sub-16/14 nm Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) technology nodes 期刊论文  OAI收割 ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2017 作者:  Wang GL(王桂磊);  Li JF(李俊峰);  Zhao C(赵超);  Ye TC(叶甜春)   |  收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2018/06/08 Study of sigma-shaped source/drain recesses for embedded-SiGe pMOSFETs 期刊论文  OAI收割 Microelectronic Engineering, 2017 作者:  Zhu HL(朱慧珑);  Xu QX(徐秋霞);  Li JF(李俊峰);  Zhao C(赵超);  Henry Homayoun Radamson   |  收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2018/07/09 pMOSFETs Featuring ALD W Filling Metal Using SiH4 and B2H6 Precursors in 22 nm Node CMOS Technology 期刊论文  OAI收割 Nanoscale Research Letters, 2017 作者:  Zhao C(赵超);  Wang GL(王桂磊);  Luo J(罗军);  Liu JB(刘金彪);  Yang T(杨涛)   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2018/07/05 Investigation on direct-gap GeSn alloys for high-performance tunneling field-effect transistor applications 期刊论文  OAI收割 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, 2017 作者:  Liu L(刘磊);  Wang GL(王桂磊);  Henry Homayoun Radamson   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2018/07/05 Integration of Highly Strained SiGe in Source and Drain with HK and MG for 22 nm Bulk PMOS Transistors 期刊论文  OAI收割 Nanoscale Research Letters, 2017 作者:  Wang GL(王桂磊);  Ye TC(叶甜春);  Henry Homayoun Radamson;  Zhao C(赵超)   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2018/07/05 Optimization of Selective Growth of SiGe for Source/Drain in 14nm and Beyond Nodes FinFETs 期刊论文  OAI收割 International Journal of High Speed Electronics and Systems, 2017 作者:  Henry Homayoun Radamson;  Zhu HL(朱慧珑);  Yin HX(殷华湘);  Qin ZL(秦长亮);  Luo J(罗军)   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2018/07/05 Graphene 专著  OAI收割 :Springer, 2017 作者:  Henry Homayoun Radamson   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2018/07/30