用于FET的PECVD SiNx掺杂MoS2的有效性与可控性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 罗军 ; 贾昆鹏; 粟雅娟; 战俊; 段宁远
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| 刊名 | 微纳电子技术
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| 出版日期 | 2017-04-01 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/18122]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 罗军,贾昆鹏,粟雅娟,等. 用于FET的PECVD SiNx掺杂MoS2的有效性与可控性[J]. 微纳电子技术,2017. |
| APA | 罗军,贾昆鹏,粟雅娟,战俊,&段宁远.(2017).用于FET的PECVD SiNx掺杂MoS2的有效性与可控性.微纳电子技术. |
| MLA | 罗军,et al."用于FET的PECVD SiNx掺杂MoS2的有效性与可控性".微纳电子技术 (2017). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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