Effects of Annealing Ambient on Interface Charge and Dipole in GeOx/Al2O3 Gate Stacks of Ge Based MOSCAP
文献类型：会议论文
| 作者 | Wang XL(王晓磊) ; Xiang JJ(项金娟); Zhao C(赵超); Wang WW(王文武); Ye TC(叶甜春); Zhou LX(周丽星)
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| 出版日期 | 2017-11-20 |
| 文献子类 | 会议论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/18274]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang XL,Xiang JJ,Zhao C,et al. Effects of Annealing Ambient on Interface Charge and Dipole in GeOx/Al2O3 Gate Stacks of Ge Based MOSCAP[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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