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面向先进CMOS技术节点的NiSi和NiGe接触技术研究

文献类型:学位论文

作者段宁远
答辩日期2018-05-19
文献子类博士
授予单位中国科学院大学
导师赵超
学位专业微电子学与固体电子学
源URL[http://159.226.55.106/handle/172511/18392]  
专题微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
段宁远. 面向先进CMOS技术节点的NiSi和NiGe接触技术研究[D]. 中国科学院大学. 2018.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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