堆叠纳米线制造方法
文献类型:专利
| 作者 | 马小龙; 秦长亮; 殷华湘 ; 洪培真 ; 赵超
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| 发表日期 | 2018-01-02 |
| 专利号 | CN201310110074.6 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种堆叠纳米线制造方法,包括:步骤a,在衬底上形成硬掩模;步骤b,刻蚀衬底形成第一沟槽与鳍片;步骤c,在鳍片侧面形成侧墙;步骤d,刻蚀鳍片,在侧墙下方形成第二沟槽;步骤e,后处理鳍片,形成堆叠纳米线。依照本发明的堆叠纳米线制造方法,混合采用各向异性与各向同性刻蚀,在侧壁形成的侧墙保护下实现了选择性刻蚀,由此提高了堆叠纳米线的精度,有利于器件小型化。 |
| 公开日期 | 2014-10-01 |
| 申请日期 | 2013-03-29 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18738] ![]() |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 马小龙,秦长亮,殷华湘,等. 堆叠纳米线制造方法. CN201310110074.6. 2018-01-02. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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