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堆叠纳米线制造方法

文献类型:专利

作者马小龙; 秦长亮; 殷华湘; 洪培真; 赵超
发表日期2018-01-02
专利号CN201310110074.6
著作权人中国科学院微电子研究所
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明公开了一种堆叠纳米线制造方法,包括:步骤a,在衬底上形成硬掩模;步骤b,刻蚀衬底形成第一沟槽与鳍片;步骤c,在鳍片侧面形成侧墙;步骤d,刻蚀鳍片,在侧墙下方形成第二沟槽;步骤e,后处理鳍片,形成堆叠纳米线。依照本发明的堆叠纳米线制造方法,混合采用各向异性与各向同性刻蚀,在侧壁形成的侧墙保护下实现了选择性刻蚀,由此提高了堆叠纳米线的精度,有利于器件小型化。

公开日期2014-10-01
申请日期2013-03-29
语种中文
源URL[http://159.226.55.107/handle/172511/18738]  
专题微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
马小龙,秦长亮,殷华湘,等. 堆叠纳米线制造方法. CN201310110074.6. 2018-01-02.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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