一种硅深孔刻蚀方法
文献类型：专利
| 作者 | 赵超 ; 李俊杰; 孟令款; 李春龙; 洪培真; 李俊峰; 崔虎山
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| 发表日期 | 2018-02-09 |
| 专利号 | CN201410571338.2 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种硅深孔刻蚀方法，包括：a.在硅片(100)上均匀涂覆掩膜(101)，在掩膜(101)上形成所需图形；b.基于掩膜(101)图案，采用稳态工艺在所述硅片上刻蚀深孔(102)；c.在所述第一深孔(102)的侧壁及底部形成钝化层(200)；d.去除位于所述所述深孔(102)底部的钝化层(200)；e.采用bosch工艺进行交替深刻蚀，对深孔进行深化，得到加深的第二深孔(103)；f.去除钝化层(200)。本发明将稳态刻蚀工艺与bosch刻蚀工艺相结合，有效消除了槽顶部侧壁的锯齿形貌，并弱化了底切现象(under cut)，有效的提高了器件的可靠性与寿命。 |
| 公开日期 | 2016-05-18 |
| 申请日期 | 2014-10-23 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18747]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵超,李俊杰,孟令款,等. 一种硅深孔刻蚀方法. CN201410571338.2. 2018-02-09. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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