本发明公开了种半导体器件制造方法，包括：在下层结构上形成介质层；在介质层中形成暴露下层结构一部分的沟槽和/或孔；在沟槽和/或孔中生长界面层；在所述界面层上沉积绝缘介质层；在所述绝缘介质层上沉积栅电极层；在所述栅电极层上沉积吸氧层。在所述吸氧层上形成金属材质的上层结构。依照本发明的半导体器件制造方法，采用铝基还原剂与金属前驱物反应形成吸氧层，避免了悬挂效应造成的孔洞形成，提高了金属填充率，同时避免下层结构受损，提高了器件可靠性。