本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成栅极堆叠；在衬底中进行掺杂形成源漏区；在源漏区上形成应力衬层；执行退火，激活源漏区中的掺杂剂，并同时提高应力衬层的致密性。依照本发明的半导体器件制造方法，在形成双应力衬层之后再进行退火以激活源漏区内掺杂剂，降低了NMOS区上张应力氮化硅衬层在dHF下刻蚀速率，避免了栅极两侧凹槽出现，提高了器件性能以及可靠性。