本发明提供了一种半导体器件制造方法，在CMOS后栅工艺的双应变应力层的集成工艺中，在打开虚设栅极之后、形成栅极凹槽之前，采用氮等离子体，对暴露的部分张应力层进行处理，使得张应力层在随后的腐蚀工艺中不被去除，避免了器件性能降低甚至失效。氮等离子处理工艺与常规工艺兼容，在未明显增加工艺复杂性的情况下，提高了器件良率。