一种形成纳米线阵列的方法，包括：步骤1、在衬底上形成多个硬掩膜图形；步骤2、各向同性刻蚀，在衬底上形成多个突出部，多个突出部与多个硬掩膜图形分离，多个硬掩膜图形下表面没有衬底材料残留；步骤3、对衬底执行多个周期性刻蚀工艺，形成多个纳米线排列成的多个行；步骤4、清洗并去除多个硬掩膜图形。依照本发明的形成纳米线阵列的方法，在同一个腔室内交替进行各向异性和各向同性刻蚀，并且用各向同性刻蚀去除了最顶部的纳米线，提高了纳米线阵列均匀性，降低了成本，节省了时间。