Enhancing the thermal stability of NiGe by prior-germanidation fluorine implantation into Ge substrate
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhang D(张丹); Wang WW(王文武) ; Chen DP(陈大鹏); Li JF(李俊峰); Liu S(刘实); Zhao C(赵超); Ye TC(叶甜春); Luo J(罗军); Duan NY(段宁远); Wang GL(王桂磊)
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| 刊名 | Japanese Journal of Applied Physics
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| 出版日期 | 2018-06-08 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/19184]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhang D,Wang WW,Chen DP,et al. Enhancing the thermal stability of NiGe by prior-germanidation fluorine implantation into Ge substrate[J]. Japanese Journal of Applied Physics,2018. |
| APA | 张丹.,王文武.,陈大鹏.,李俊峰.,刘实.,...&罗雪.(2018).Enhancing the thermal stability of NiGe by prior-germanidation fluorine implantation into Ge substrate.Japanese Journal of Applied Physics. |
| MLA | 张丹,et al."Enhancing the thermal stability of NiGe by prior-germanidation fluorine implantation into Ge substrate".Japanese Journal of Applied Physics (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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